特性 HAST (高度加速應(yīng)力測(cè)試) BHAST (偏置高度加速應(yīng)力測(cè)試);

中文全稱 高壓蒸煮鍋試驗(yàn) / 非偏置高壓加速壽命試驗(yàn) 偏壓型高度加速壽命試驗(yàn);

關(guān)鍵區(qū)別 不施加外部電偏置 (Unbiased) 施加外部電偏置 (Biased);

測(cè)試目的 主要評(píng)估封裝材料和封裝工藝的完整性。例如：塑封料、引線框架、芯片粘貼、金線鍵合等在濕氣下的表現(xiàn)。 主要評(píng)估芯片本身的可靠性，特別是在電場(chǎng)和濕氣共同作用下的失效模式。

模擬場(chǎng)景 器件在儲(chǔ)存狀態(tài)下的潮濕環(huán)境。 器件在通電工作狀態(tài)下的潮濕環(huán)境。

失效機(jī)制 分層 (Delamination)、爆米花效應(yīng) (Popcorn Effect)、腐蝕 (Corrosion)、引線斷裂等。 電化學(xué)遷移 (Electromigration)、腐蝕 (尤其在有電壓差的金屬線之間)、柵氧層擊穿等。

測(cè)試條件 溫度：110°C - 145°C 濕度：85% RH 氣壓：高于大氣壓 (通常0.7-2.3 atm) 時(shí)間：通常 96-168 小時(shí) 溫度：110°C - 130°C (JEDEC標(biāo)準(zhǔn)通常限定在130°C以下) 濕度：85% RH 氣壓：高于大氣壓 偏置電壓：施加 時(shí)間：通常 96-168 小時(shí)。

標(biāo)準(zhǔn) JESD22-A118 (Unbiased HAST) JESD22-A110 (Biased HAST)

嚴(yán)苛度 相對(duì)較低，專注于物理和化學(xué)侵蝕。 更為嚴(yán)苛，因?yàn)榀B加了電場(chǎng)的作用，極大地加速了失效。